Muy bien, continuamos con esta segunda clase, BJT versus MOSFET. Es un poco para entender las diferencias. Ambos son válvulas de corriente controladas por un tercer terminal. Ambos tienen tres regiones de operación que se parecen. Pero, su funcionamiento interno es distinto. La forma en que opera es distinto, y su costo de fabricación es distinto y su desempeño también es distinto. En general, por desempeño, el BJT le gana al MOSFET. Los MOSFET modernos son súper buenos y generalmente, actualmente, ya se aproximan mucho al desempeño del BJT en muchos aspectos. Hay otros en los que nunca se va a poder parecer un BJT. Ambos tienen su propio modelo no lineal y sus propios modelos de capacitancias parásitas. Este de aquà es la curva del MOSFET, "ID" versus "VDS". Y esta es la curva del BJT. También tiene una región activa, también tiene una región de saturación parecida a la de triodo, y tiene una región de corte aquà abajo. Y también tenemos que la corriente crece a medida que aumentamos el voltaje en un terminal. Aquà la corriente es controlada por otra corriente, y no necesariamente por un voltaje. Eso es algo que vamos a tratar de aprender. Es distinto, un poco distinto, o sea, es controlado por un voltaje, pero ese voltaje produce una corriente, entonces, últimamente es controlada por la corriente y no necesariamente por el voltaje, el voltaje produce esa corriente. Hay diferencias cualitativas. Una diferencia es que el BJT y el MOSFET son distintos porque el BJT tiene corriente de base. Aquà hay corriente, aquà no hay corriente. Quise dibujar esto: no hay corriente. Aquà I igual a cero, aquÃ, I distinto de cero, en general. La corriente de base no es despreciable en el BJT, y afecta al circuito que fija el voltaje de base. Eso a veces hace un poco más complicado el diseño. En región activa, la corriente base es la corriente colector dividido por "Beta", o sea cuando estamos aquÃ, esta ecuación "I" sub "B" igual "I" sub" C" partido por "Beta", vale. Esa ecuación vale, aquÃ, en región activa. AquÃ, no vale. En cambio, en MOSFET, idealmente, no hay corriente, o sea, el MOSFET es parecido al BJT, pero con "Beta" infinito. El BJT tiene "Beta" del orden de 100, puede ser 50, puede ser 300, depende realmente del BJT. Hay más diferencias cualitativas. Otra diferencia está en que el MOSFET es simétrico, o sea, "D" y "S" son idénticos. El "BJT", por construcción, no es simétrico. Entonces, pasan cosas un poco especiales. En el MOSFET, cuando la corriente es cero, estamos en triodo, "D" y "S" tienen exactamente el mismo voltaje. El BJT, cuando la corriente es cero, y estamos en región de saturación, estos dos voltajes no son iguales, o sea, el "switch" se cierra, pero no se cierra completamente. Esa caÃda de tensión entre colector y emisor depende de la corriente de base y resulta en una mayor resistencia equivalente a "switch" cerrado, y eso tiene algunas consecuencias. Por ejemplo, no es posible construir compuertas lógicas tan sencillas con BJT. Un inversor lógico de BJT no es simplemente dos transistores, porque después de muchas etapas, se empieza a perder el voltaje. Eso se llama "non-restoring logic" a diferencia del MOSFET que es "restoring logic". Otra diferencia importante es que el MOSFET puede tener cualquier voltaje entre compuerta y fuente. "VGS" es cualquier cosa y uno lo hace grande, y si "VGS" es grande, tenemos un"VOV" grande. En el MOSFET, como esto es un "N", "P", "N", aquà hay una unión "P-N", esa unión PN es como un diodo, y en el diodo, este voltaje entonces es como un voltaje de diodo, es del orden de 0,7 volts en silicio, menor 0,4, 0,3 volt en germanio. Entonces, ese voltaje bien definido da lo mismo cuánto metemos el voltaje de base, ese voltaje no va a crecer mucho más, porque es como un diodo. De hecho, nosotros podemos hacer curva. "Vbe", "I" sub b", es una cosa asÃ, y aquà hay 0,7 volts. Pues, que ya vemos que no crece mucho el voltaje. Tenemos otra diferencia, eficiencia como transconductor. El BJT es más eficiente que el MOSFET en cuanto a capacidad de producir transconductancia o "gm" por unidad de corriente. Por ejemplo, esta es una pregunta que nunca nos hicimos: ¿cuánta transconductancia entrega un MOSFET por unidad de corriente? No tengo idea. Yo me sé una ecuación que dice algo asà como: "gm" igual 2 "I" sub "D" partido por "Vov". Entonces, "gm" partido por "Id" que serÃa la transconductancia por unidad de corriente, serÃa 2 partido por "Vov". O sea, yo puedo sacar mucha transconductancia por unidad de corriente haciendo "Vov" cero, eso no ocurre en la práctica. En la práctica, esto limita, esto satura a algo asà como 25 amperes partidos por volts, más o menos, depende de la tecnologÃa, depende del transistor. Los MOSFETS tienen más que 25, perdón los BJT, siempre los BJT dan del orden de, dependiendo de la temperatura, pero a temperatura ambiente, dan como 40 amperes por partidos por volts. Entonces, dije '"ampere partido por volt", esto está mal, esto es siemens partido por ampere. Milisiemens partidos por miliamperes, o siemens partido por ampere. Eso estaba mal. Y mientras que el BJT, a temperatura ambiente, vamos a ver después que el "gm" partido por "I" sub "c", en este caso, es del orden de 40 milisiemens por cada miliampere, o sea, yo, por cada miliampere que doy, me da 40 milisiemens. Vamos a aprenderlo con más detalle muchos después, asà que eso concluye esta clase.